据9to5mac援引内幕人士消息，有望在8月份备好的iPhone 6s最大的内部升级将是一款新的高通LTE芯片，理论上该芯片可将LTE下的下载速度提高至300 Mbps，是现有iPhone 6、iPhone 6 Plus的1倍，但是上行速度依旧是50 Mbps。

 

　　根据泄露的一张iPhone 6S原型逻辑电路板的图片，这款新设备内置了高通的MDM9635M芯片，也就是所谓的“9X35” Gobi移动平台。而目前的iPhone 6和iPhone 6 Plus采用的是“9X25”。“9X35”速度提升的关键在于采用了新的“Category 6”无线modem，相对于iPhone 6系列采用的“Category 4”无线modem，其速度要快得多。而且还后向兼容DC-HSPA、EVDO Rev. B、CDMA 1x、GSM 及TD-SCDMA等制式。

 

　　不过苹果并非第一家采用MDM9635M芯片的公司。实际上高通2013年末就已经引入了这一芯片，但是因为标准化生产时间出现拖延，芯片1年前才推向市场，率先部署在三星的Galaxy S5上。

 

　　高通这款芯片的优势不仅体现在下载速度，而且还能改善电池寿命（前提是采用LTE制式）。据说iPhone 6S的主板要比6窄一点、更紧凑一些，这样就可以为电池留出更大的空间。再加上iOS 9新的省电功能及低功耗模式，新手机的电池寿命有望延长。还有一点就是“9X35”采用了高通新的制造工艺流程，可以提高能效降低发热，这样iPhone 6S在高数据使用情况下也能避免发热。

 

　　从此前披露的iPhone 6S外壳照片来看，其宽度、厚度均与 iPhone 6 一样，所以更纤薄版本的iPhone似乎今年无望出现了，而扬声器格式和接口也几乎没有变化。新款iPhone 6S是否还存在其他的重大更新仍有待观察。

　　来源：36氪